|
বিস্তারিত তথ্য |
|||
| polytype: | 4H | surface orientation: | <11-20>4±0.5 |
|---|---|---|---|
| dopant: | n-type Nitrogen | resistivity: | 0.015~0.025ohm ·cm |
| diameter: | 200±0.2 mm | thickness: | 500±25 um |
| প্রান্ত: | চেম্ফার | surface finish: | Si-face CMP |
পণ্যের বর্ণনা
8 ইঞ্চি 4 এইচ-এন টাইপ সিসি ওয়েফার বেধ 500 ± 25um n ডোপড ডামি প্রাইম গবেষণা গ্রেড
8 ইঞ্চি 4H-N টাইপ SiC ওয়েফার এর বিমূর্ত
এই গবেষণায় অর্ধপরিবাহী অ্যাপ্লিকেশনের জন্য 8 ইঞ্চি 4H-N টাইপ সিলিকন কার্বাইড (SiC) ওয়েফারের বৈশিষ্ট্য বর্ণনা করা হয়েছে।সর্বশেষতম প্রযুক্তি ব্যবহার করে তৈরি করা হয়েছে এবং এন-টাইপ অমেধ্যে ডোপডএক্স-রে ডিফ্রাকশন (এক্সআরডি), স্ক্যানিং ইলেকট্রন মাইক্রোস্কোপি (এসইএম) এবং হল প্রভাব পরিমাপ সহ চরিত্রগতকরণ কৌশলগুলি ব্যবহার করা হয়েছিল।ওফারের বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যএক্সআরডি বিশ্লেষণটি সিআইসি ওয়েফারের 4 এইচ পলিটাইপ কাঠামো নিশ্চিত করেছে, যখন এসইএম ইমেজিং একটি অভিন্ন এবং ত্রুটি মুক্ত পৃষ্ঠের মর্ফোলজি প্রকাশ করেছে।হলের প্রভাবের পরিমাপগুলি ওয়েফারের পৃষ্ঠ জুড়ে একটি ধ্রুবক এবং নিয়ন্ত্রিত এন-টাইপ ডোপিং স্তর নির্দেশ করে. ফলাফলগুলি থেকে বোঝা যায় যে ৮ ইঞ্চি 4H-N টাইপ SiC ওয়েফার উচ্চ-কার্যকারিতা অর্ধপরিবাহী ডিভাইসে ব্যবহারের জন্য প্রতিশ্রুতিবদ্ধ বৈশিষ্ট্য প্রদর্শন করে,বিশেষ করে উচ্চ ক্ষমতা এবং উচ্চ তাপমাত্রা অপারেশন প্রয়োজন অ্যাপ্লিকেশনএই উপাদান প্ল্যাটফর্মের সম্ভাবনার পূর্ণ ব্যবহারের জন্য আরও অপ্টিমাইজেশান এবং ডিভাইস ইন্টিগ্রেশন গবেষণা প্রয়োজন।
8 ইঞ্চি 4 এইচ-এন টাইপ সিআইসি ওয়েফারের বৈশিষ্ট্য
-
ক্রিস্টাল কাঠামোঃ একটি 4H পলিটাইপ সহ একটি ষড়ভুজাকার স্ফটিক কাঠামো প্রদর্শন করে, অর্ধপরিবাহী অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য অনুকূল বৈদ্যুতিন বৈশিষ্ট্য সরবরাহ করে।
-
ওয়েফার ব্যাসার্ধঃ 8 ইঞ্চি, ডিভাইস উত্পাদন এবং স্কেলযোগ্যতার জন্য একটি বড় পৃষ্ঠতল সরবরাহ করে।
-
ওয়েফারের বেধঃ সাধারণত 500±25 μm, যান্ত্রিক স্থিতিশীলতা এবং অর্ধপরিবাহী উত্পাদন প্রক্রিয়াগুলির সাথে সামঞ্জস্যতা প্রদান করে।
-
ডোপিং: এন-টাইপ ডোপিং, যেখানে নাইট্রোজেন পরমাণুগুলি স্ফটিক গ্রিডে অতিরিক্ত ফ্রি ইলেকট্রন তৈরির জন্য অশুচিতা হিসাবে ইচ্ছাকৃতভাবে প্রবেশ করা হয়।
-
বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যঃ
- উচ্চ ইলেকট্রন গতিশীলতা, দক্ষ চার্জ পরিবহন অনুমতি দেয়।
- কম বৈদ্যুতিক প্রতিরোধ ক্ষমতা, যা বিদ্যুতের পরিবাহিতা সহজ করে।
- ওয়াফারের পৃষ্ঠ জুড়ে নিয়ন্ত্রিত এবং অভিন্ন ডোপিং প্রোফাইল।
-
উপাদান বিশুদ্ধতাঃ উচ্চ বিশুদ্ধতা SiC উপাদান, অশুদ্ধতা এবং ত্রুটি কম মাত্রা, নির্ভরযোগ্য ডিভাইস কর্মক্ষমতা এবং দীর্ঘায়ু নিশ্চিত।
-
সারফেস মর্ফোলজিঃ মসৃণ এবং ত্রুটি মুক্ত পৃষ্ঠের মর্ফোলজি, ইপিট্যাক্সিয়াল বৃদ্ধি এবং ডিভাইস উত্পাদন প্রক্রিয়াগুলির জন্য উপযুক্ত।
-
তাপীয় বৈশিষ্ট্যঃ উচ্চ তাপ পরিবাহিতা এবং উচ্চ তাপমাত্রায় স্থিতিশীলতা, এটি উচ্চ শক্তি এবং উচ্চ তাপমাত্রা অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উপযুক্ত।
-
অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্যঃ দৃশ্যমান এবং ইনফ্রারেড বর্ণালীতে বিস্তৃত ব্যান্ডগ্যাপ শক্তি এবং স্বচ্ছতা, অপটোইলেকট্রনিক ডিভাইস একীকরণের অনুমতি দেয়।
-
যান্ত্রিক বৈশিষ্ট্যঃ
- উচ্চ যান্ত্রিক শক্তি এবং কঠোরতা, হ্যান্ডলিং এবং প্রক্রিয়াকরণের সময় স্থায়িত্ব এবং স্থিতিস্থাপকতা প্রদান করে।
- তাপীয় সম্প্রসারণের নিম্ন সহগ, তাপীয় চাপ-প্ররোচিত ক্র্যাকিংয়ের ঝুঁকি হ্রাস করে তাপমাত্রা চক্রের সময়।
সংখ্যা পয়েন্ট ইউনিট উৎপাদন গবেষণা বোকা 1 পলিটাইপ ৪ ঘন্টা ৪ ঘন্টা ৪ ঘন্টা 2 পৃষ্ঠের দিকনির্দেশনা ° <১১-২০>৪±০5 <১১-২০>৪±০5 <১১-২০>৪±০5 3 ডোপ্যান্ট এন-টাইপ নাইট্রোজেন এন-টাইপ নাইট্রোজেন এন-টাইপ নাইট্রোজেন 4 প্রতিরোধ ক্ষমতা ওম · সেমি 0.015 ~ 0.025 0.01~0.03 5 ব্যাসার্ধ মিমি ২০০±০।2 ২০০±০।2 ২০০±০।2 6 ঘনত্ব μm ৫০০±২৫ ৫০০±২৫ ৫০০±২৫ 7 নট ওরিয়েন্টেশন ° [১-১০০]±৫ [১-১০০]±৫ [১-১০০]±৫ 8 খাঁজ গভীরতা মিমি ১-১।5 ১-১।5 ১-১।5 9 এলটিভি μm ≤5 ((১০ মিমি×১০ মিমি) ≤5 ((১০ মিমি×১০ মিমি) ≤10 ((10mm×10mm) 10 টিটিভি μm ≤10 ≤10 ≤15 11 নমস্কার μm ২৫-২৫ ৪৫ থেকে ৪৫ ৬৫-৬৫ 12 ওয়ার্প μm ≤30 ≤৫০ ≤ ৭০
8 ইঞ্চি 4H-N টাইপ SiC ওয়েফারের ছবি
8 ইঞ্চি 4 এইচ-এন টাইপ সিসি ওয়েফারের অ্যাপ্লিকেশন
পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স: সিআইসি ওয়েফারগুলি শক্তি ডিভাইস যেমন শটকি ডায়োড, এমওএসএফইটি (মেটাল-অক্সাইড-সেমিকন্ডাক্টর ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর) তৈরিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়,এবং আইজিবিটি (আইসোলেটেড গেট বাইপোলার ট্রানজিস্টর)এই ডিভাইসগুলি SiC এর উচ্চ ভাঙ্গন ভোল্টেজ, কম অন-স্টেট প্রতিরোধ এবং উচ্চ তাপমাত্রা কর্মক্ষমতা থেকে উপকৃত হয়, যা তাদের বৈদ্যুতিক যানবাহনে অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য উপযুক্ত করে তোলে,পুনর্নবীকরণযোগ্য শক্তি সিস্টেম, এবং বিদ্যুৎ বিতরণ ব্যবস্থা।
আরএফ এবং মাইক্রোওয়েভ ডিভাইস: সিআইসি ওয়েফারগুলি তাদের উচ্চ ইলেকট্রন গতিশীলতা এবং তাপ পরিবাহিততার কারণে উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি আরএফ (রেডিও ফ্রিকোয়েন্সি) এবং মাইক্রোওয়েভ ডিভাইসগুলির বিকাশে ব্যবহৃত হয়।অ্যাপ্লিকেশনগুলির মধ্যে উচ্চ-শক্তির পরিবর্ধক অন্তর্ভুক্ত রয়েছে, আরএফ সুইচ, এবং রাডার সিস্টেম, যেখানে সিআইসি এর পারফরম্যান্স সুবিধা দক্ষ শক্তি হ্যান্ডলিং এবং উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি অপারেশন সক্ষম।
অপটোইলেকট্রনিক্স: সিআইসি ওয়েফারগুলি আল্ট্রাভায়োলেট (ইউভি) ফটোডেটেক্টর, হালকা নির্গত ডায়োড (এলইডি) এবং লেজার ডায়োডের মতো অপটোইলেকট্রনিক ডিভাইস তৈরিতে ব্যবহৃত হয়।সিআইসির বিস্তৃত ব্যান্ডগ্যাপ এবং ইউভি ব্যাপ্তিতে অপটিকাল স্বচ্ছতা এটিকে ইউভি সেন্সিংয়ের জন্য উপযুক্ত করে তোলে, ইউভি নির্বীজন, এবং উচ্চ উজ্জ্বলতা ইউভি এলইডি।
উচ্চ তাপমাত্রার ইলেকট্রনিক্স: সিআইসি ওয়েফারগুলি কঠোর পরিবেশে বা উচ্চ তাপমাত্রায় কাজ করা ইলেকট্রনিক সিস্টেমের জন্য পছন্দসই। অ্যাপ্লিকেশনগুলির মধ্যে রয়েছে এয়ারস্পেস ইলেকট্রনিক্স, ডাউনহোল ড্রিলিং সরঞ্জাম,এবং অটোমোবাইল ইঞ্জিন নিয়ন্ত্রণ সিস্টেম, যেখানে SiC এর তাপীয় স্থিতিশীলতা এবং নির্ভরযোগ্যতা চরম অবস্থার অধীনে কাজ করতে সক্ষম।
সেন্সর প্রযুক্তি: সিআইসি ওয়েফারগুলি তাপমাত্রা সেন্সর, চাপ সেন্সর এবং গ্যাস সেন্সরগুলির মতো অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য উচ্চ-কার্যকারিতা সেন্সরগুলির বিকাশে ব্যবহৃত হয়।সিআইসি-ভিত্তিক সেন্সরগুলি উচ্চ সংবেদনশীলতার মতো সুবিধাগুলি সরবরাহ করে, দ্রুত প্রতিক্রিয়া সময়, এবং কঠোর পরিবেশের সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ, তাদের শিল্প, অটোমোটিভ এবং এয়ারস্পেস অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য উপযুক্ত করে তোলে।